Příspěvek vysvětluje hlavní specifikace a zapojení malého signálu, nízkoenergetického N-kanálového mosfetu 2N7000G s nízkým výkonem.
Mosfety vs BJT
Když mluvíme o mosfetech, obvykle je spojujeme s aplikacemi s vysokým proudem, vysokým napětím a s vysokými silami.
Stejně jako běžné BJT jsou však k dispozici také malé signální mohyly, které mohou být stejně účinně použity jako jejich protějšky BJT.
Mosfety jsou oblíbené pro svou extrémně vysokou schopnost dodávat energii, přesto jsou menší svými celkovými rozměry.
Na rozdíl od BJTs by mosfety zvládly obrovské proudy a napětí, aniž by se zvětšily a bez zapojení mezilehlých vyrovnávacích stupňů nebo silných proudových stupňů ovladače.
Jak se spouští Mosfet
Největší výhodou použití mosfetu je to, že jej lze spustit podle potřeby pro provozování dané zátěže bez ohledu na proud pohonu brány.
Výše uvedená funkce umožňuje spouštění mosfetů přímo ze zdrojů nízkého proudu, jako jsou výstupy CMOS nebo TTL, bez nutnosti použití vyrovnávacích stupňů, což je velký rozdíl ve srovnání s BJT.
Výše uvedená funkce platí také pro malé signální mosfety, které lze přímo vyměnit za malé signální BJT, jako je BC547, pro získání mnohem efektivnějších výsledků. Jeden takový datový list s malým signálem mosfet, specifikace je zde diskutována.
Jedná se o N-kanálový 2N7000G mosfet, obvykle vhodný pro aplikace s malým signálem v rozsahu maximálně 200 mA a 60 V.
Odpor v zapnutém stavu přes jeho odtokové a zdrojové svorky je obvykle kolem 5 ohmů. Hlavní vlastnosti tohoto malého signálu, nízkoenergetického MOSFETu, jsou uvedeny níže:
Hlavní elektrické vlastnosti:
Napětí odtoku ke zdroji Vdss = 60 V DC Napětí od brány ke zdroji Vgs = +/- 20 V DC, +/- 40 V DC špičkové neopakovatelné, nepřesahující 50 mikrosekund Odběr proudu Id = 200 mA DC nepřetržitě, 500 mA pulzně
Celkový ztrátový výkon Pd při Tc = 250 C (teplota spojení) = 350 mW Pinouty a podrobnosti o balíčku jsou k dispozici zde:
Předchozí: Nízkofrekvenční filtrační obvod pro subwoofer Další: 10pásmový grafický ekvalizér
