V tomto příspěvku diskutujeme metodu správného nahrazení BJT MOSFET, aniž by to ovlivnilo konečný výsledek obvodu.

Úvod

Dokud MOSFET nedorazily do oblasti elektroniky, tranzistory nebo BJT přesněji vládly spínacím obvodům a aplikacím.

Přestože nelze ignorovat ani bipolární tranzistory (BJT) kvůli jejich obrovské flexibilitě a nízkým nákladům, MOSFET se také rozhodně staly nesmírně populární, pokud jde o přepínání těžkých zátěží a kvůli vysoké účinnosti spojené s těmito součástmi.

Přestože tyto dva protějšky mohou vypadat podobně s jejich funkcemi a stylem, tyto dvě součásti se svými charakteristikami a konfiguracemi zcela liší.

Rozdíl mezi BJT a MOSFET

Hlavní rozdíl mezi BJT a MOSFETem spočívá v tom, že operace BJT závisí na proudu a je třeba ji proporcionálně zvýšit se zátěží, zatímco mosfet závisí na napětí.

Ale tady MOSFET dostane náskok před BJT, protože napětí lze snadno manipulovat a dosáhnout na požadovaných stupních bez větších potíží, na rozdíl od zvýšení proudu znamená větší dodávaný výkon, což má za následek špatnou účinnost, objemnější konfigurace atd.

Další velkou výhodou MOSFETu proti BJT je jeho vysoký vstupní odpor, který umožňuje přímou integraci s jakýmkoli logickým IC, bez ohledu na to, jak velká zátěž může být přepínána zařízením. Tato výhoda nám také umožňuje paralelně připojit mnoho MOSFETů i při velmi nízkých proudových vstupech (v mA).

MOSFETy jsou v zásadě dvou typů, viz. zvýšení typ režimu a vyčerpání typ režimu. Typ vylepšení se používá častěji a je převládajícím typem.

“jaké jsou příklady izolátorů ”

MOSFETy typu N lze zapnout nebo aktivovat použitím specifikovaného kladného napětí na jejich branách, zatímco MOSFETy typu P budou vyžadovat pravý opak, což je záporné napětí pro zapnutí.

BJT Base Resistor vs MOSFET Gate Resistor

Jak je vysvětleno výše, základní přepínání BJT je závislé na proudu. To znamená, že jeho základní proud musí být úměrně zvýšen se zvýšením proudu zátěže kolektoru.

To znamená, že základní odpor v BJT hraje důležitou roli a musí být správně vypočítán, aby bylo zajištěno, že zátěž je optimálně zapnuta.

Základní napětí pro BJT však moc nezáleží, protože pro uspokojivé přepnutí připojené zátěže může být tak nízké jako 0,6 až 1 volt.

U MOSFETů je to přesně naopak, můžete je zapnout při jakémkoli napětí mezi 3 V a 15 V, s proudem od 1 do 5 mA.

Proto může být základní odpor pro BJT zásadní, ale odpor pro bránu MOSFET může být nehmotný. To znamená, že musí být zahrnut odpor brány nízké hodnoty, jen aby bylo zařízení chráněno před náhlými napěťovými skoky a přechodovými jevy.

Protože napětí nad 5 V nebo až 12 V jsou snadno dostupná z většiny digitálních a analogových integrovaných obvodů, lze bránu MOSFET rychle propojit s jakýmkoli takovým zdrojem signálu, bez ohledu na proud zátěže.

Jak vyměnit tranzistor (BJT) za MOSFET

Obecně můžeme BJT snadno nahradit MOSFET, pokud se postaráme o příslušné polarity.

U NPN BJT můžeme BJT nahradit správně zadaným MOSFET následujícím způsobem:

Odstraňte základní odpor z obvodu, protože ho již obvykle s MOSFET nepotřebujeme.
Připojte bránu N-MOSFET přímo ke zdroji aktivačního napětí.
Udržujte kladný zdroj připojený k jedné ze svorek zátěže a druhou svorku zátěže připojte k odtoku MOSFET.
Nakonec připojte zdroj MOSFET k zemi ....... HOTOVO, během několika minut jste BJT nahradili mosfetem.

Postup zůstane stejný jako výše, i když bude PNP BJT nahrazen MOSFETem s kanálem P, budete muset pouze obrátit příslušné polarity napájení.